ТУ-София	Петър Николаев Иванов	Факултет: ФКСУ
Фак. РК035277	Лабораторно упражнение 7	Специалност: КСТ
	Изследване на характеристиките на MOS транзистор	Асистент:

I. Задание

1. Да се снемат семейството изходни статични характеристики при

2. Да се снемат предавателните характеристики при

3. Да се построят графично снетите характеристики

4. От изходните статични характеристики да се определи динамичното изходно съпротив-ление , при работа на транзистора в триодната и пентодната област, за две различни напрежение (напр. 6 и 7 V). Динамичното изходно съпротивление се определя от зависимостта , при

5. От предавателните характеристики да се определи праговото напрежение и стръмността на MOS транзистора. Стръмността се определя от зависимостта , при

II. Експериментални резултати

UDS, V		0	2	4	6	8	10	12	14	16	18	20
,	UGS = 4 V	0	92	98	103	108	112	116	119	122	126	129
	UGS = 5 V	0	193	280	299	311	322	331	340	348	356	363
	UGS = 6 V	0	253	460	577	619	641	659	678	694	709	720
	UGS = 7 V	0	260	518	747	911	989	1026	1051	1079	1098	1116
	UGS = 8 V	0	286	583	864	1108	1302	1420	1475	1515	1547	1570
	UGS = 9 V	0	297	594	878	1142	1400	1645	1838	1950	2020	2060

UGS, V		0	2	2.5	3	3.5	4	5	6	7	8	9	10
,	UDS = 1 V	0	0	0	6	33	68	100	115	125	132	136	140
	UDS = 2 V	0	0	0	6	35	89	212	258	284	300	312	320
	UDS = 3 V	0	0	0	7	38	97	291	525	626	687	716	745
	UDS = 10 V	0	0	0	7	39	104	307	606	974	1262	1414	1505

III. Изчислителна част

1. V