ТЕХНИЧЕСКИ УНИВЕРСИТЕТ - СОФИЯ

Специалност: Електроника Факултет: ФЕТТ

Фак. Група:

Дата: Ръководител:

ПРОТОКОЛ 5

Изследване на характеристиките на MOS транзистор

1. Задание:

   1. Да се снемат семейството изходни статични характеристики I_D=f(U_DS) при U_GS=const.

   2. Да се снемат предавателните статични характеристики I_D=f(U_GS) при U_DS=const.

   3. Да се построят графично снетите характеристики.

   4. От изходните статични характеристики да се определи динамичното изх. съпротивление R_DS, при работа на транзистора в триодната и пентодната област, за две различни напрежения U_GS (6V и 7V).

   5. От предавателните характеристики да се определи праговото напрежение и стръмността на MOS транзистора. Стръмността се определя от зависимостта

1.Принципни схеми: