Технически Университет София

Цифрова Схемотехника

Студент: Фак. No: 13022288

Специалност: ФКСУ група: 70

Ръководител: Маноилов

УПРАЖНЕНИЕ N: 1

ТЕМА: Ключови схеми с биполярни транзистори

1.Принципни схеми. Теоритична обосновка на процесите. Основна ключова схема.

Схема с насищане:

Схема с диод на Шотки:

Статичен режим:

Запушен транзистор отворен ключ: Ub < 0 Ie = 0 Ic = Ico Uin = Ubo, Uout = Ubo

Отпушен транзистор активен режим: ic = ib Uout = Uc = E icRc Uin = ibRb + Io

• режим на насищане: Ics = E / Rc Ib > Ibs = Ics / Uin > Eo + (Rbe / Rc)

Преходни процеси: Динамичния режим на схемата се изследва чрез анализ изменението на токовете и напреженията под въздействито на входен правоъгълен сигнал. Времето, отговарящо за пълното изменение на Uвх, може да се раздели на: