Технически университет - Габрово

Катедра: Физика

Студент: Ради Панчев Върбанов

Специалност: КСТ , Курс: I , Факултетен номер: 20405159

Протокол 40

Tема: Определяне параметрите на фоторезистор

1. Теоретична обосновка

Явление, при кое-то под действие на оптическо лъчение в полупроводни-ците възникват токови носители (т.е. измени се проводимостта на полупроводника) се нарича вътрешен фотоефект (токовите носители остават вътре във веществото). Прибор, в които се използва това явление се нарича фоторезистор .

Във фоточувствителния слой на фоторезистора, намиращ се на тъмно, при определена температура, има известна концентрация на токовите носители. Те обуславят проводимостта на тъмно.

Оптически генерираните токови носители се наричат неравновесии. Участвайки в електропроводимостта, те обуславят допълнителна проводи-моет, наречена фотопроводимост.

Токовите носители, възникнали в резултат на термична ионизация, са равновесии.

Ако би съществувал само процес на генериране на носители, то концен-трацията на неравновесните носители би се изменяла с времето по линеен закон. В действителност, с нарастване концентрацията на неравновесните носители се увеличава обратния процес - рекомбинация. Когато скоростта на рекомбинация достигне скоростта на генерация, се установява динамично равновесие (фиг. 40.1).

Където М е броят на двойките носители, образувани от един квант светлина; /г- коефициент на по-глъщане; / - интензитет на светли-ната; г- време на живот на неравновесните носители.