Технически Университет - София

катедра Физика

Протокол No 12 Подпис на асистента:

Студент: Атанас Дайски Фак. No: 10023457

Специалност: ФКТТ група: 54

Задание: Определяне на ширината на забранената зона на полупроводник по температурния ход на електрическата проводимост.

1. Схема на опитната постановка:

фиг. 1

2. Описание на метода и теоретични изводи:

Специфичната електрическа проводимост на полупроводниците (ПП) при стайна температура е от 10⁴ до 10^{-7 -1}m^-1 и се изменя чувствително под действието на различни външни фактори, например температура.

В условията на силно взаимодействие между атомите в кристалната решетка, всяко енергетично ниво в изолирания атом се разцепва на толкова нива, колкото е броят на атомите, изграждащи тялото. Съвкупността от тези нива се нарича енергетична зона.

Енергетично позволените зони са разделени една от друга от забранени зони (ЗЗ), чиято ширина намалява с увеличаване на ширината на позволените зони. Ширината на зоните зависи само от типа на кристалната решетка.

Колкото по-високо е нивото, от което е произлязла зоната, толкова тя е по-широка и толкова по-тясна е ЗЗ. Зоната, съставена от нивата, на които се намират валентните електрони на изолирания атом в основно състояние се нарича валентна зона (ВЗ). Следващата позволена зона, която при абсолютна нула не е заета от електрони, се нарича зона на проводимост (ЗП). Зоната