Технически университет - Габрово

Катедра: Физика

Студент:

Специалност: , Курс: , Факултетен номер:

Протокол 7

Tема: Изследване на фотоелектричните свойства на p-n преход

1. Теоретична обосновка

При контакт между два полупроводника с р - и п - тип на проводи-моет започва дифузия на електроните и дупките от едната в другата облает. Дупките, преминали в полупроводника от п - тип рекомбинират с намира-щите се там свободни електрони, а електроните, проникнали в полупроводника от р - тип, рекомбинират с намиращите се там дупки. По този начин, в граничната облает около контактната повърхност, се създават слоеве бедни на свободни токови носители (обеднени области), а съответните неком-пенсирани йони образуват неподвижни обемни заряди; р - областта се за-режда отрицателно а п - областта - положително. Така в областта на р-n -прехода възниква двоен електричен слои. Създаденото контактно електрично поле с интензитет Ek.

При установяване на динамично равновесие общият ток през р - п -

При осветяване на прехода със светлина, чиято енергия на фотоните hv е по-голяма от ширината на забранената зона на полупроводника : (hv > Eg), се генерират двойки токови носители (електрони и дупки), наречени фотоносители. Те, движейки се хаотично, топлинно, се преместват в различии посоки, включително и към границата на р - п -прехода. Тези,