Електрична проводимост на полупроводници
| Физика | 2009-12-04 | 171 сваляния |
УНИВЕРСИТЕТ ПО АРХИТЕКТУРА, СТРОИТЕЛСТВО И ГЕОДЕЗИЯ
СОФИЯ
КАТЕДРА ФИЗИКА

ПРОТОКОЛ NO
Студент: Мартин Щерионов Кутрубиев
Специалност: Хидростроителство, 4 група, ФН 73

Отчет на експеримента: Електрична проводимост на полупроводници.
1.Теоритична част.
По електричните си свойства полупроводниците заемат междинно място м/у металите и диелектриците. Възможността да се променя проводимостта на полупроводниците от външни фактори или чрез подходящо внедрени примеси и дефекти лежи в основата на многобройните им и разнообразни приложения.
Реалните полупроводникови кристали съдържат различни дефекти (внедрени атоми или нарушения в строгата перидичност на решетката), които съществено влияят на проводимостта.. Наличието на примесни атоми води до възникване на примесни електрични нива в забранената зона. Общата проводимост на полупроводниците при достатъчно високи темперетури се обуславя от движението на собствените електрони от проводимата зона във валентната. Тази проводимост е собствена.

Е Е Eg=Ec-Ev

Eg- забранена

Ес Ec зона
Ed

Еg Ea



Ev

Ev




Примесните атоми, които доставят електрони за проводимата зона, носят името донори, а тези, които захващат такива от валентната зона се наричат акцептори. Порводимостта при такива условия е примесна (n-тип или р-тип според вида на преобладаващите в изследвания темперетурен интервал примеси).
Енергията на активация на примесите се нарича енергията, необходима за преминаването на електрони от донорно ниво в зоната на проводимост (Е=Ес-Еd) или от валентната зона на акцепторно ниво (Е=Ea-Ev).
С повишаване на темперетурата, концентрацията на свободните токови носители нараства експотенциално, ето защо съпротивлението на полупроводника намалява по закона: R=R.eE/2kT, където R почти не зависи от темперетурата, к=1,38.10-23 J/mol и е константа на Болцман, а Е е енергията на активация.
При ниски тенперетури се проявява примесна проводимост, а при високи собствена
(2) lnR=lnR+E/2k.1/T ; lnR права линия.
Експериментална постановка Изследвания образец е полупроводников терморезистор (термистор) монтиран в цилиндър с масло. Цилиндърът е поставен във водна баня, чиято темп. Се изменя с нагревател и се отчита с термометър. В изследвания темперетурен интервал проводимостта на образеца е примесна, така че от наклона на (lnRT)/(103/T) на правата определяме въз основа на (2) енергията на активация на примесите: E=2k.[(lnRT)/(103/T)].103.
Тагове от реферата: стрств, отокол, удент, спецност, проводимост, кутрубиев, ерионов, ектрич, полупроводниц











